Samsung presenta BV-NAND: más de 400 capas y 58% más de densidad para IA

Samsung presentó su nueva tecnología de memoria BV-NAND con más de 400 capas y un aumento del 58% en densidad para sistemas de IA.

Samsung Electronics presentó el martes una nueva generación de tecnología de memoria para inteligencia artificial, con el objetivo de reforzar su liderazgo en la fabricación de chips en el pujante mercado de la IA. El mayor fabricante mundial de chips de memoria eligió la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) de este año, celebrada en Santa Clara (California) , para presentar su prototipo V10 Bonding V-NAND, o BV-NAND.

BV-NAND: más capas y mayor densidad

El chip cuenta con más de 400 capas y una nueva arquitectura de unión de obleas para aumentar la densidad de almacenamiento y potenciar el rendimiento. La empresa afirmó que su tecnología BV-NAND aumenta la densidad de memoria en aproximadamente un 58% con respecto a su anterior V9 NAND, al tiempo que mejora el rendimiento de lectura, escritura y entrada/salida para satisfacer la creciente demanda de los sistemas de IA que requieren un almacenamiento de mayor capacidad y más eficiente energéticamente.

La visión 3D de Samsung: zHBM y zNAND-O

Samsung también presentó modelos conceptuales de lo que describió como las primeras arquitecturas zHBM y zNAND-O del sector, esbozando su visión de la memoria 3D de próxima generación, que apila las celdas de memoria verticalmente para almacenar más datos. A diferencia de la memoria convencional de gran ancho de banda, que se coloca junto a los procesadores de IA, la zHBM de Samsung apila la memoria verticalmente sobre los aceleradores de IA para reducir la distancia que recorren los datos, lo que aumenta el ancho de banda al tiempo que mejora la eficiencia energética.

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